FDB2552-F085
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB2552-F085 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta), 37A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB2552 |
FDB2552-F085 Einzelheiten PDF [English] | FDB2552-F085 PDF - EN.pdf |
FDB2532_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FAIRCHILD TO-263
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
FAIRCHILD SOT-263
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FDB2552_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB2552-F085onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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